TTL与CMOS属于逻辑电平，TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列。

5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平；3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。

一、TTL电平

早期的器件多为TTL电平，如早先的54系列和74系列，而现在的大部分器件使用的工艺都是CMOS工艺。

输出电平：高电平Uoh >=2.4v,低电平Uol <= 0.4v

输入电平：高电平Uih >= 2.0v,低电平 Uil <= 0.8v

二、CMOS电平

输出电平：高电平Uoh>= 0.9*VCC (≈ VCC), Uol <= 0.1*VCC(≈ GND)

输入电平：高电平Uih >= 0.7*VCC，Uil <= 0.3*VCC

CMOS的电平有：Cmos 5V、Cmos 3.3V、Cmos 2.5V、Cmos1.8V

三、TTL电平与CMOS电平的区别

1）TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。

2）TTL电路速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低，也就是说TTL电路的延迟比COMS电路要小。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。

3）TTL器件供电电压一般为5V（也有3.3V的情况），Cmos为1.8V—2.5V—3.3V—5V

四、TTL和CMOS的逻辑电平转换

5V电源电压情况下，COMS电路可以直接驱动TTL，而TTL电路则不能直接驱动CMOS电路。其他电平也不能直接驱动，所以就需要搭建两者之间的转换电平电路。

CMOS电平能驱动TTL电平

TTL电平不能驱动CMOS电平，需加上拉电阻。

五、CMOS电路的锁定效应

CMOS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，CMOS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。

来源参考：
https://www.genuway.com/6031.html
https://web.aigexing.com/shenghuo/130883.html